3月4日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家今天宣布，臺(tái)積電將對(duì)美國(guó)追加投資至少1000億美元，用于興建3座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠等設(shè)施。
半導(dǎo)體分析師陸行之發(fā)文指出，臺(tái)積電此次投資1000億美元，相當(dāng)于“買(mǎi)到4年的免死金牌”。
加上之前未完全使用的650億美元投資，臺(tái)積電未來(lái)每年至少需在美投資超過(guò)300億美元，若維持35%的資本密集度，美國(guó)廠的資本開(kāi)支將超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣廠。
陸行之還表示，臺(tái)積電的這一舉措可能會(huì)改變其先進(jìn)制程研發(fā)留在中國(guó)臺(tái)灣的計(jì)劃，他指出，全球高端半導(dǎo)體漲價(jià)趨勢(shì)已確立，未來(lái)電子和AI算力產(chǎn)品將越來(lái)越貴。
陸行之進(jìn)一步分析，如果臺(tái)積電都選擇在美國(guó)投資，那么其他國(guó)家的半導(dǎo)體大廠也可能被迫追加投資或使用臺(tái)積電美國(guó)廠的晶圓代工制造來(lái)避稅。
此外他還提到，未來(lái)4年之后，美國(guó)制造的趨勢(shì)難以逆轉(zhuǎn)，美國(guó)當(dāng)?shù)乜萍茧娮赢a(chǎn)品通貨膨脹難以降低。
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