7月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果、高通和聯(lián)發(fā)科等手機(jī)SoC制造商計(jì)劃在今年下半年推出的旗艦SoC產(chǎn)品中，全面采用臺(tái)積電的N3E制程技術(shù)。
這也意味著下半年智能手機(jī)性能的顯著飛躍，尤其是蘋(píng)果的A18處理器預(yù)計(jì)更是將超越其M4處理器的性能。
N3E作為臺(tái)積電第二代3nm工藝技術(shù)，相較于第一代N3B工藝，提供了更高的成本效益和性能。
這種工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的晶體管密度和更快的開(kāi)關(guān)速度，從而在保持低功耗的同時(shí)，帶來(lái)更強(qiáng)的性能。
另外，隨著半導(dǎo)體工藝的不斷縮小，芯片的可靠性和穩(wěn)定性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，臺(tái)積電的N3E工藝在制造過(guò)程中采用了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，確保了晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。
這有助于提高芯片的良率和降低生產(chǎn)成本，也為芯片的長(zhǎng)期使用提供了更好的保障。
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