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三星沖刺1nm工藝!量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年

2024-05-30 17:18:57 253觀看

5月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子代工業(yè)務(wù)部門計(jì)劃在即將到來的6月12日至13日在美國硅谷舉辦的代工與SAFE論壇上,公布其技術(shù)路線圖和強(qiáng)化代工生態(tài)系統(tǒng)的計(jì)劃。VtF驛資訊

其中大的變化是,三星預(yù)計(jì)將把原定于2027年實(shí)現(xiàn)的1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年。VtF驛資訊

此前,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工,并計(jì)劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝,隨后于2025年啟動2nm工藝的量產(chǎn)。VtF驛資訊

業(yè)界推測,三星可能會將第二代3nm和2nm工藝進(jìn)行整合,并有可能在2024年下半年就開始量產(chǎn)2nm芯片。VtF驛資訊

與此同時(shí),三星的主要競爭對手臺積電也在積極推進(jìn)其工藝發(fā)展計(jì)劃。VtF驛資訊

臺積電計(jì)劃在2027年達(dá)到A16節(jié)點(diǎn)(1.6nm),并預(yù)計(jì)在2027-2028年左右開始量產(chǎn)1.4nm工藝。VtF驛資訊

盡管有傳聞稱臺積電因技術(shù)問題將2nm工藝全面量產(chǎn)推遲至2026年,但臺積電已明確表示2nm工藝開發(fā)進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)2025年左右可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。VtF驛資訊

三星電子的信心部分源自于其在2022年6月引入的“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術(shù),該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流,提升芯片功率效率。VtF驛資訊

與此同時(shí),臺積電的信心則源自與大客戶蘋果的密切合作,蘋果對臺積電的營收貢獻(xiàn)高達(dá)25%-30%。VtF驛資訊

三星沖刺1nm工藝!量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年VtF驛資訊

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